TK4R3E06PL,S1X
Nomor Produk Pabrikan:

TK4R3E06PL,S1X

Product Overview

Produsen:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Nomor Bagian:

TK4R3E06PL,S1X-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaris:

177 Pcs Baru Asli Tersedia
12890243
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

TK4R3E06PL,S1X Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
Tube
Seri
U-MOSIX-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 500µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3280 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
87W (Tc)
Suhu Operasional
175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
TK4R3E06

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
50
Nama lain
TK4R3E06PLS1X
TK4R3E06PL,S1X(S

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
diodes

DMG3407SSN-7

MOSFET P-CH 30V 4A SC59

toshiba-semiconductor-and-storage

TK6Q60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8120,LQ(CM

MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK380P65Y,RQ

MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK