Nomor Produk Pabrikan:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Produsen:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nomor Bagian:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventaris:
34748 Pcs Baru Asli Tersedia
12891567
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
TPN1110ENH,L1Q Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
U-MOSVIII-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 200µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
600 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Nomor Produk Dasar
TPN1110
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
5,000
Nama lain
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
TPH14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
