TP65H035G4WS
Nomor Produk Pabrikan:

TP65H035G4WS

Product Overview

Produsen:

Transphorm

DiGi Electronics Nomor Bagian:

TP65H035G4WS-DG

Deskripsi:

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventaris:

813 Pcs Baru Asli Tersedia
12938528
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

TP65H035G4WS Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Transphorm
Pengemasan
Tube
Seri
SuperGaN™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.8V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
22 nC @ 0 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
156W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
TP65H035

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
TP65H035G4WS

Informasi Tambahan

Paket Standar
30
Nama lain
1707-TP65H035G4WS

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
micro-commercial-components

MCM1567-TP

MOSFET P-CH 20V 9A DFN2020-6J

alpha-and-omega-semiconductor

AOB160A60L

MOSFET N-CH 600V 24A TO263

fairchild-semiconductor

RFD16N05NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

UPA2790GR-E2-A

P-CHANNEL POWER MOSFET