Nomor Produk Pabrikan:
TP65H070G4PS
Product Overview
Produsen:
Transphorm
DiGi Electronics Nomor Bagian:
TP65H070G4PS-DG
Deskripsi:
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
210 Pcs Baru Asli Tersedia
12992579
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
TP65H070G4PS Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Transphorm
Pengemasan
Tube
Seri
SuperGaN®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.7V @ 700µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
638 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
96W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
1707-TP65H070G4PS
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
G80N03K
N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
CMS13N06H8-HF
MOSFET N-CH 60V 56A 8DFN
COM-17396
NTP360N80S3Z SUPERFET III MOSFET