TP65H070LDG-TR
Nomor Produk Pabrikan:

TP65H070LDG-TR

Product Overview

Produsen:

Transphorm

DiGi Electronics Nomor Bagian:

TP65H070LDG-TR-DG

Deskripsi:

650 V 25 A GAN FET
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Inventaris:

1651 Pcs Baru Asli Tersedia
13001158
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

TP65H070LDG-TR Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Transphorm
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TP65H070L
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.8V @ 700µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
600 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
96W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
3-PQFN (8x8)
Paket / Kasus
3-PowerDFN

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
TP65H070L Datasheet

Informasi Tambahan

Paket Standar
500
Nama lain
1707-TP65H070LDG-TR
1707-TP65H070LDG-TRDKR
1707-TP65H070LDG-TRCT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P

vishay-siliconix

SI1480BDH-T1-GE3

N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70