TP65H150G4LSG
Nomor Produk Pabrikan:

TP65H150G4LSG

Product Overview

Produsen:

Transphorm

DiGi Electronics Nomor Bagian:

TP65H150G4LSG-DG

Deskripsi:

GAN FET N-CH 650V PQFN
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Inventaris:

2939 Pcs Baru Asli Tersedia
13275976
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

TP65H150G4LSG Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Transphorm
Pengemasan
Tray
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.8V @ 500µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
598 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
52W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
3-PQFN (8x8)
Paket / Kasus
3-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
TP65H150

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
1707-TP65H150G4LSG
1707-TP65H150G4LSGDKR
1707-TP65H150G4LSGCT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
TP65H150G4LSG-TR
PEMBUAT
Transphorm
JUMLAH YANG TERSEDIA
2884
DiGi NOMOR BAGIAN
TP65H150G4LSG-TR-DG
HARGA SATUAN
2.18
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
transphorm

TPH3206LSGB

GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN

infineon-technologies

IPA029N06NM5SXKSA1

MOSFET N-CH 60V 87A TO220

infineon-technologies

IPB60R070CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

BSZ039N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON