Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
TPH3205WSB
Product Overview
Produsen:
Transphorm
DiGi Electronics Nomor Bagian:
TPH3205WSB-DG
Deskripsi:
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaris:
RFQ Online
13445842
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
TPH3205WSB Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Transphorm
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.6V @ 700µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±18V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Informasi Tambahan
Paket Standar
180
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
TK39N60X,S1F
PEMBUAT
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH YANG TERSEDIA
30
DiGi NOMOR BAGIAN
TK39N60X,S1F-DG
HARGA SATUAN
3.43
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
TP65H050WS
PEMBUAT
Transphorm
JUMLAH YANG TERSEDIA
327
DiGi NOMOR BAGIAN
TP65H050WS-DG
HARGA SATUAN
11.35
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
SCT30N120
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
SCT30N120-DG
HARGA SATUAN
14.70
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
IXFH60N65X2
PEMBUAT
IXYS
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
IXFH60N65X2-DG
HARGA SATUAN
6.57
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
STW62N65M5
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
600
DiGi NOMOR BAGIAN
STW62N65M5-DG
HARGA SATUAN
8.29
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
TPH3208PD
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TPH3206LD
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
TPH3206PSB
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
TPH3206LS
GANFET N-CH 600V 17A PQFN