Nomor Produk Pabrikan:
TPH3212PS
Product Overview
Produsen:
Transphorm
DiGi Electronics Nomor Bagian:
TPH3212PS-DG
Deskripsi:
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
13446813
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
TPH3212PS Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Transphorm
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.6V @ 400uA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±18V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1130 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
104W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
TPH3212
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3