Nomor Produk Pabrikan:
IRC640PBF
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRC640PBF-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5
Inventaris:
12907316
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRC640PBF Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
HEXFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Fitur FET
Current Sensing
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-5
Paket / Kasus
TO-220-5
Nomor Produk Dasar
IRC640
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
*IRC640PBF
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRFR310TRLPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRLI540GPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
IRFI9640G
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
