Nomor Produk Pabrikan:
IRF510L
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRF510L-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventaris:
12868639
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRF510L Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
180 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
-
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-262-3
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
IRF510
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
*IRF510L
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF730ASTRL
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
BUK7Y25-80E/CX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
IRFI820GPBF
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
