Nomor Produk Pabrikan:
IRF630L
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRF630L-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaris:
12905140
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRF630L Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
800 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
-
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
IRF630
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
*IRF630L
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
ZXMP7A17KTC
MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3
ZVN3310FTC
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
RCX510N25
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM
