Nomor Produk Pabrikan:
IRFBE30LPBF
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRFBE30LPBF-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaris:
990 Pcs Baru Asli Tersedia
12858042
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRFBE30LPBF Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
IRFBE30
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
2266-IRFBE30LPBF
*IRFBE30LPBF
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
NDD60N900U1-1G
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
NTS4001NT1
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
NTMFS4C08NT3G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
