Nomor Produk Pabrikan:
IRFBE30PBF
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRFBE30PBF-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
2597 Pcs Baru Asli Tersedia
12924620
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRFBE30PBF Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IRFBE30
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
*IRFBE30PBF
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
JANTX2N6760
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
JANTX2N7227U
MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
