Nomor Produk Pabrikan:
IRFBF30PBF
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IRFBF30PBF-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
778 Pcs Baru Asli Tersedia
12911868
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IRFBF30PBF Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
900 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IRFBF30
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
*IRFBF30PBF
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SI4401BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
IRFS11N50ATRR
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
SI7850DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
