IRFBG30PBF
Nomor Produk Pabrikan:

IRFBG30PBF

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IRFBG30PBF-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaris:

4495 Pcs Baru Asli Tersedia
12852836
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IRFBG30PBF Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1000 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
980 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IRFBG30

Lembar Data & Dokumen

Lembar Data HTML
Lembaran Data
Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
50
Nama lain
*IRFBG30PBF

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

IRFI630GPBF

MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3

infineon-technologies

IRF7726TR

MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

infineon-technologies

IPP80N06S208AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

SPP11N60S5XKSA1

LOW POWER_LEGACY