SI2333DDS-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SI2333DDS-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI2333DDS-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Deskripsi Detail:
P-Channel 12 V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventaris:

16839 Pcs Baru Asli Tersedia
12917664
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI2333DDS-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
12 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
1.5V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (Maks)
±8V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1275 pF @ 6 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nomor Produk Dasar
SI2333

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SI2333DDS-T1-GE3CT
SI2333DDS-T1-GE3TR
SI2333DDST1GE3
SI2333DDS-T1-GE3DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SI3483CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJA84EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHS36N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247