SI4431CDY-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SI4431CDY-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI4431CDY-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Deskripsi Detail:
P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventaris:

65416 Pcs Baru Asli Tersedia
12918510
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI4431CDY-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1006 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-SOIC
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nomor Produk Dasar
SI4431

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,500
Nama lain
SI4431CDYT1GE3
SI4431CDY-T1-GE3DKR
SI4431CDY-T1-GE3CT
SI4431CDY-T1-GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SI4406DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

vishay-siliconix

SI3879DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

vishay-siliconix

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

vishay-siliconix

SI4688DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO