Nomor Produk Pabrikan:
SI4660DY-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SI4660DY-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO
Deskripsi Detail:
N-Channel 25 V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaris:
12914540
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SI4660DY-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
25 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
23.1A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2410 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-SOIC
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nomor Produk Dasar
SI4660
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
SI4660DY-T1-GE3CT
SI4660DY-T1-GE3TR
SI4660DYT1GE3
SI4660DY-T1-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRL530STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI7892BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
