Nomor Produk Pabrikan:
SI5975DC-T1-E3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SI5975DC-T1-E3-DG
Deskripsi:
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
Deskripsi Detail:
Mosfet Array 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventaris:
12912389
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SI5975DC-T1-E3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET, Array MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
2 P-Channel (Dual)
Fitur FET
Logic Level Gate
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
12V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3.1A
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
86mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Daya - Maks
1.1W
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SMD, Flat Lead
Paket Perangkat Pemasok
1206-8 ChipFET™
Nomor Produk Dasar
SI5975
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
SI5935CDC-T1-GE3
PEMBUAT
Vishay Siliconix
JUMLAH YANG TERSEDIA
11398
DiGi NOMOR BAGIAN
SI5935CDC-T1-GE3-DG
HARGA SATUAN
0.15
JENIS PENGGANTI
Direct
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SI4906DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
SI4952DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI5902BDC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
