SI7615CDN-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SI7615CDN-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI7615CDN-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Deskripsi Detail:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventaris:

3 Pcs Baru Asli Tersedia
12914159
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI7615CDN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen III
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
1.8V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3860 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
33W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Nomor Produk Dasar
SI7615

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SI7615CDN-T1-GE3TR
SI7615CDN-T1-GE3CT
SI7615CDN-T1-GE3DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
TPN4R712MD,L1Q
PEMBUAT
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH YANG TERSEDIA
7052
DiGi NOMOR BAGIAN
TPN4R712MD,L1Q-DG
HARGA SATUAN
0.25
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

IRFU9210PBF

MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA

vishay-siliconix

IRLZ24LPBF

MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3

vishay-siliconix

SI3495DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7634BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8