SI8429DB-T1-E1

Nomor Produk Pabrikan:

SI8429DB-T1-E1

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI8429DB-T1-E1-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT

Deskripsi Detail:

P-Channel 8 V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventaris:

20174 Pcs Baru Asli Tersedia

12917673

Minta Penawaran

Kuantitas
Minimum 1

(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

KIRIM

SI8429DB-T1-E1 Spesifikasi Teknis

Kategori

FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen

Vishay

Pengemasan

Tape & Reel (TR)

Seri

TrenchFET®

Status Produk

Active

Jenis FET

P-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)

8 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C

11.7A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)

1.2V, 4.5V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

35mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

26 nC @ 5 V

Vgs (Maks)

±5V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1640 pF @ 4 V

Fitur FET

-

Disipasi Daya (Maks)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok

4-Microfoot

Paket / Kasus

4-XFBGA, CSPBGA

Nomor Produk Dasar

SI8429

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Lembar Data HTML

SI8429DB-T1-E1-DG

Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar

3,000

Nama lain

SI8429DB-T1-E1DKR

SI8429DBT1E1

SI8429DB-T1-E1CT

SI8429DB-T1-E1TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sertifikasi DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Terkait

vishay-siliconix

SI3483CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJA84EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHS36N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

vishay-siliconix

SI3465DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP