SIA417DJ-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SIA417DJ-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIA417DJ-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Deskripsi Detail:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventaris:

RFQ Online
12914814
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIA417DJ-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
8 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
1.2V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±5V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1600 pF @ 4 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Kasus
PowerPAK® SC-70-6
Nomor Produk Dasar
SIA417

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SIA417DJ-T1-GE3DKR
SIA417DJ-T1-GE3CT
SIA417DJT1GE3
SIA417DJ-T1-GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
vishay-siliconix

IRFPS30N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247

vishay-siliconix

SI4636DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

vishay-siliconix

SI4128BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

vishay-siliconix

IRFZ48SPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK