Nomor Produk Pabrikan:
SIB413DK-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIB413DK-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Deskripsi Detail:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventaris:
12966467
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIB413DK-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
2.5V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
75mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
7.63 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
357 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Kasus
PowerPAK® SC-75-6
Nomor Produk Dasar
SIB413
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIB413DK-T1-GE3CT
SIB413DKT1GE3
SIB413DK-T1-GE3DKR
SIB413DK-T1-GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
SIB433EDK-T1-GE3
PEMBUAT
Vishay Siliconix
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
SIB433EDK-T1-GE3-DG
HARGA SATUAN
0.14
JENIS PENGGANTI
Direct
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
MCAC80N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060
SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
IXTQ48N65X2M
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P