Nomor Produk Pabrikan:
SIE818DF-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIE818DF-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 75 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventaris:
12916258
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIE818DF-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Last Time Buy
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
75 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3200 pF @ 38 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
10-PolarPAK® (L)
Paket / Kasus
10-PolarPAK® (L)
Nomor Produk Dasar
SIE818
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIE818DFT1GE3
SIE818DF-T1-GE3DKR
SIE818DF-T1-GE3CT
SIE818DF-T1-GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHU6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
SI7868ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
