Nomor Produk Pabrikan:
SIHB24N65ET1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHB24N65ET1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaris:
12787602
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHB24N65ET1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
E
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
SIHB24
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
800
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
IXFA22N65X2
PEMBUAT
IXYS
JUMLAH YANG TERSEDIA
250
DiGi NOMOR BAGIAN
IXFA22N65X2-DG
HARGA SATUAN
2.56
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
TK16G60W,RVQ
PEMBUAT
Toshiba Semiconductor and Storage
JUMLAH YANG TERSEDIA
994
DiGi NOMOR BAGIAN
TK16G60W,RVQ-DG
HARGA SATUAN
2.68
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
SIR472ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
SIS415DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
