Nomor Produk Pabrikan:
SIHFBE30STRL-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHFBE30STRL-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CHANNEL 800V
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaris:
800 Pcs Baru Asli Tersedia
13000234
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHFBE30STRL-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
800
Nama lain
742-SIHFBE30STRL-GE3CT
742-SIHFBE30STRL-GE3DKR
742-SIHFBE30STRL-GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SQJA68EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
DMT4008LFDF-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
DMN3069L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
