SIHG080N60E-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SIHG080N60E-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIHG080N60E-GE3-DG

Deskripsi:

E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventaris:

304 Pcs Baru Asli Tersedia
12950358
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIHG080N60E-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
E
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2557 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
227W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Paket / Kasus
TO-247-3

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
SIHG080N60E
Lembar Data HTML
SIHG080N60E-GE3-DG
Lembaran Data
SIHG080N60E-GE3

Informasi Tambahan

Paket Standar
25
Nama lain
742-SIHG080N60E-GE3

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIHH080N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8

vishay-siliconix

SIS176LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIR510DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

vishay-siliconix

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE