SIHG24N65E-E3
Nomor Produk Pabrikan:

SIHG24N65E-E3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIHG24N65E-E3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventaris:

RFQ Online
12965892
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIHG24N65E-E3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SIHG24

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
SIHG24N65E
Lembar Data HTML
SIHG24N65E-E3-DG
Lembaran Data
SIHG24N65E-E3

Informasi Tambahan

Paket Standar
500
Nama lain
SIHG24N65EE3

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
IXFH50N60P3
PEMBUAT
IXYS
JUMLAH YANG TERSEDIA
386
DiGi NOMOR BAGIAN
IXFH50N60P3-DG
HARGA SATUAN
5.53
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

vishay-siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR870ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8