Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
SIHG33N65E-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHG33N65E-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventaris:
RFQ Online
12917791
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHG33N65E-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
32.4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
105mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4040 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
313W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SIHG33
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
SIHG33N65E
Lembar Data HTML
SIHG33N65E-GE3-DG
Lembaran Data
SIHG33N65E-GE3
Informasi Tambahan
Paket Standar
500
Nama lain
SIHG33N65E-GE3CT
SIHG33N65E-GE3DKR-DG
SIHG33N65E-GE3TR
SIHG33N65E-GE3TR-DG
SIHG33N65E-GE3DKR
SIHG33N65E-GE3CT-DG
SIHG33N65E-GE3DKRINACTIVE
SIHG33N65E-GE3TRINACTIVE
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
SPW32N50C3FKSA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
245
DiGi NOMOR BAGIAN
SPW32N50C3FKSA1-DG
HARGA SATUAN
4.28
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
STW34N65M5
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
6
DiGi NOMOR BAGIAN
STW34N65M5-DG
HARGA SATUAN
2.87
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
IXTH32N65X
PEMBUAT
IXYS
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
IXTH32N65X-DG
HARGA SATUAN
5.96
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
FCH104N60F-F085
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
86
DiGi NOMOR BAGIAN
FCH104N60F-F085-DG
HARGA SATUAN
3.01
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
NOMOR BAGIAN
STW33N60M2
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
98
DiGi NOMOR BAGIAN
STW33N60M2-DG
HARGA SATUAN
2.48
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHP14N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
SI3424BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SQM40014EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3