Nomor Produk Pabrikan:
SIHG40N60E-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHG40N60E-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 40A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventaris:
809 Pcs Baru Asli Tersedia
12787022
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHG40N60E-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
E
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4436 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
329W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
SIHG40
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
25
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
SIJ800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
SIHP065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
