Nomor Produk Pabrikan:
SIHP6N80AE-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHP6N80AE-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
961 Pcs Baru Asli Tersedia
12987336
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHP6N80AE-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
E
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
422 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
62.5W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
SIHP6
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
742-SIHP6N80AE-GE3
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
GT035N06T
MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
DMN3069L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NP88N04NUG-S18-AY
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
