Nomor Produk Pabrikan:
SIJ482DP-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIJ482DP-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaris:
12919240
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIJ482DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.7V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2425 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SIJ482
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIJ482DP-T1-GE3DKR
SIJ482DP-T1-GE3DKRINACTIVE
SIJ482DP-T1-GE3TR
SIJ482DP-T1-GE3DKR-DG
SIJ482DP-T1-GE3CT
SIJ482DPT1GE3
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
RS6N120BHTB1
PEMBUAT
Rohm Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
1763
DiGi NOMOR BAGIAN
RS6N120BHTB1-DG
HARGA SATUAN
1.14
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
PMPB43XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
SI7636DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
SI1469DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
