SIJH5700E-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SIJH5700E-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIJH5700E-T1-GE3-DG

Deskripsi:

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Deskripsi Detail:
N-Channel 150 V 17A (Ta), 174A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventaris:

12987365
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIJH5700E-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
150 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
17A (Ta), 174A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
7.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7500 pF @ 75 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Kasus
PowerPAK® 8 x 8

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,000
Nama lain
742-SIJH5700E-T1-GE3CT
742-SIJH5700E-T1-GE3TR
742-SIJH5700E-T1-GE3DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
onsemi

FDD4243-G

FDD4243-G

international-rectifier

AUIRFC8407TR

AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL

goford-semiconductor

G65P06F

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F

diodes

DMN2310UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-