Nomor Produk Pabrikan:
SIR165DP-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIR165DP-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Deskripsi Detail:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaris:
16189 Pcs Baru Asli Tersedia
12786466
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIR165DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen III
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4930 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
69.4W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SIR165
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIR165DP-T1-GE3CT
SIR165DP-T1-GE3TR
SIR165DP-T1-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
SQD90P04-9M4L_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
