SIR622DP-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SIR622DP-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIR622DP-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 150V 51.6A PPAK SO-8
Deskripsi Detail:
N-Channel 150 V 51.6A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaris:

12919199
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIR622DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
ThunderFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
150 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
51.6A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
7.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
17.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
31 nC @ 7.5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1516 pF @ 75 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
104W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SIR622

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SIR622DP-T1-GE3DKR
SIR622DP-T1-GE3CT
SIR622DP-T1-GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
QS8J4TR
PEMBUAT
Rohm Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
8078
DiGi NOMOR BAGIAN
QS8J4TR-DG
HARGA SATUAN
0.37
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIHP6N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

vishay-siliconix

SUP70101EL-GE3

MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SQM60030E_GE3

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

vishay-siliconix

SIS862ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK