Nomor Produk Pabrikan:
SIRC06DP-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIRC06DP-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaris:
12786770
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIRC06DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
32A (Ta), 60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2455 pF @ 15 V
Fitur FET
Schottky Diode (Body)
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 50W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SIRC06
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIRC06DP-T1-GE3CT
2266-SIRC06DP-T1-GE3TR
SIRC06DP-T1-GE3TR
SIRC06DP-T1-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
SIR670DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
