SIS176LDN-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SIS176LDN-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIS176LDN-T1-GE3-DG

Deskripsi:

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Deskripsi Detail:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventaris:

19887 Pcs Baru Asli Tersedia
12950360
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIS176LDN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
70 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
3.3V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.6V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1660 pF @ 35 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
SIS176LDN

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SIS176LDN-T1-GE3TR
742-SIS176LDN-T1-GE3DKR
742-SIS176LDN-T1-GE3CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIR510DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

vishay-siliconix

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIHP080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

vishay-siliconix

SIHF080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL