Nomor Produk Pabrikan:
SIS892DN-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIS892DN-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventaris:
7206 Pcs Baru Asli Tersedia
12787261
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIS892DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
29mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
611 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Nomor Produk Dasar
SIS892
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIS892DNT1GE3
SIS892DN-T1-GE3CT
SIS892DN-T1-GE3TR
SIS892DN-T1-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SIHH21N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8