Nomor Produk Pabrikan:
SISH536DN-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SISH536DN-T1-GE3-DG
Deskripsi:
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventaris:
10564 Pcs Baru Asli Tersedia
12950362
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SISH536DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen V
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+16V, -12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1150 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8SH
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SISH536DN-T1-GE3CT
742-SISH536DN-T1-GE3TR
742-SISH536DN-T1-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
SIHF080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
SIR500DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
