SISS04DN-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SISS04DN-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SISS04DN-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 50.5A (Ta), 80A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Inventaris:

7415 Pcs Baru Asli Tersedia
12921805
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SISS04DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
50.5A (Ta), 80A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+16V, -12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4460 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8S
Nomor Produk Dasar
SISS04

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SISS04DN-T1-GE3TR
SISS04DN-T1-GE3CT
SISS04DN-T1-GE3DKR
SISS04DN-GE3
2266-SISS04DN-T1-GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
micro-commercial-components

MSJPF20N65-BP

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F

vishay-siliconix

SIS110DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK

onsemi

FQP4N80

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3

onsemi

FCD600N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK