Nomor Produk Pabrikan:
SISS76LDN-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SISS76LDN-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventaris:
12945157
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SISS76LDN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
70 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
3.3V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.6V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
33.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2780 pF @ 35 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8SH
Nomor Produk Dasar
SISS76
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHB11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
