Nomor Produk Pabrikan:
SISS92DN-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SISS92DN-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 250 V 3.4A (Ta), 12.3A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventaris:
12962564
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SISS92DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
250 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
7.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
173mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
350 pF @ 125 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8S
Nomor Produk Dasar
SISS92
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SISS92DN-T1-GE3TR
SISS92DN-T1-GE3DKR
SISS92DN-T1-GE3CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
STH60N099DM9-2AG
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
IXFP36N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO220
