Nomor Produk Pabrikan:
SQD23N06-31L_GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SQD23N06-31L_GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaris:
3469 Pcs Baru Asli Tersedia
12916211
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SQD23N06-31L_GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
31mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
845 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
37W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
SQD23
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,000
Nama lain
SQD23N06-31L-GE3
SQD23N06-31L_GE3TR
SQD23N06-31L_GE3-DG
SQD23N06-31L_GE3CT
SQD23N06-31L_GE3DKR
SQD23N06-31L-GE3-DG
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SUM50010E-GE3
MOSFET N-CH 60V 150A TO263
SQD40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
SQD100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
