SQD50N05-11L_GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SQD50N05-11L_GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SQD50N05-11L_GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Deskripsi Detail:
N-Channel 50 V 50A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventaris:

12786063
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SQD50N05-11L_GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
50 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2106 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
75W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
SQD50

Lembar Data & Dokumen

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,000
Nama lain
SQD50N05-11L_GE3CT
SQD50N05-11L_GE3-DG
SQD50N05-11L-GE3-DG
SQD50N05-11L_GE3DKR
SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L_GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
FDD8647L
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
5438
DiGi NOMOR BAGIAN
FDD8647L-DG
HARGA SATUAN
0.47
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIRA12DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR638DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHG16N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC

vishay-siliconix

SQJQ402E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8