SQJ123ELP-T1_GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SQJ123ELP-T1_GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SQJ123ELP-T1_GE3-DG

Deskripsi:

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Deskripsi Detail:
P-Channel 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaris:

6000 Pcs Baru Asli Tersedia
12992674
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SQJ123ELP-T1_GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
12 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
238A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
1.8V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
180 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
11680 pF @ 6 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
375W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SQJ123ELP-T1_GE3CT
742-SQJ123ELP-T1_GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
onsemi

FQD9N25TM-SBEK002

MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA

diodes

DMP22D5UFZ-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-

diodes

DMN2992UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMP3011SPSW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506