Nomor Produk Pabrikan:
SQJ211ELP-T1_GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SQJ211ELP-T1_GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Deskripsi Detail:
P-Channel 100 V 33.6A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaris:
496 Pcs Baru Asli Tersedia
12978051
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SQJ211ELP-T1_GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
33.6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
30mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
68W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SQJ211
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SQJ211ELP-T1_GE3CT
742-SQJ211ELP-T1_GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
MCB200N06YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
STB15810
N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
IRFL210TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
