Nomor Produk Pabrikan:
SQJ431AEP-T1_BE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SQJ431AEP-T1_BE3-DG
Deskripsi:
P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Deskripsi Detail:
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaris:
5335 Pcs Baru Asli Tersedia
12977813
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SQJ431AEP-T1_BE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
305mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
68W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SQJ431AEP-T1_BE3TR
742-SQJ431AEP-T1_BE3CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SQJ418EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
SQJ476EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
SI2333DDS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
