SQJA02EP-T1_GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SQJA02EP-T1_GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SQJA02EP-T1_GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventaris:

2939 Pcs Baru Asli Tersedia
12786502
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SQJA02EP-T1_GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4700 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
68W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SQJA02

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SQJA02EP-T1_GE3DKR
SQJA02EP-T1_GE3CT
SQJA02EP-T1_GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIR496DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

vishay-siliconix

SUD50N03-12P-GE3

MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252

vishay-siliconix

SIRA50DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK