Nomor Produk Pabrikan:
SQM200N04-1M7L_GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Deskripsi Detail:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventaris:
12786121
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SQM200N04-1M7L_GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
40 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
291 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
11168 pF @ 20 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
375W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263-7
Paket / Kasus
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Nomor Produk Dasar
SQM200
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
800
Nama lain
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
SQM200N04-1M7L_GE3CT
SQM200N04-1M7L_GE3TR
SQM200N04-1M7L_GE3DKR
SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-DG
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
IPB160N04S4LH1ATMA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
1895
DiGi NOMOR BAGIAN
IPB160N04S4LH1ATMA1-DG
HARGA SATUAN
1.40
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SISA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
SUD45P03-10-E3
MOSFET P-CH 30V TO252
SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK