SUD08P06-155L-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SUD08P06-155L-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SUD08P06-155L-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Deskripsi Detail:
P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventaris:

18214 Pcs Baru Asli Tersedia
12953890
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SUD08P06-155L-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
155mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
450 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
SUD08

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,000
Nama lain
SUD08P06-155L-GE3DKR
SUD08P06-155L-GE3CT
SUD08P06-155L-GE3TR
SUD08P06-155L-GE3-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

vishay-siliconix

IRFIB7N50APBF

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3

diodes

ZVN2106ASTOA

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

vishay-siliconix

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8